삼성전자, 업계 최초 '12나노급 32Gb DDR5 D램' 개발
삼성전자, 업계 최초 '12나노급 32Gb DDR5 D램' 개발
  • 송의정 기자
  • 승인 2023.09.01 11:00
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40년만 용량 50만배 확대, 연내 양산 예정
삼성전자 12나노급 32Gb DDR5 D램 이미지.[사진=삼성전자]
삼성전자 12나노급 32Gb DDR5 D램 이미지.[사진=삼성전자]

삼성전자가 업계 최초 12나노급 32Gb(기가 비트) DDR5 D램을 개발했다.

삼성전자는 이번 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만배 늘리는 성과를 거뒀다고 1일 밝혔다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 이번 32Gb 제품은 연내 양산할 계획이다.

이번 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현했다. 이에 따라 128GB(기가 바이트) 모듈을 TSV(실리콘 관통 전극) 공정없이 제작이 가능하다. 또한 동일 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력이 개선됐다.

삼성전자는 고용량 D램 라인업을 지속적으로 확대할 계획이다. 또한 AI시대를 주도할 고용량, 고성능, 저전력 제품들로 글로벌 IT 기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 이끌어갈 예정이다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "이번 12나노급 32Gb D램으로 향후 1TB 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션을 확보했다"며 "삼성전자는 차별화된 공정과 설계 기술력으로 메모리 기술의 한계를 극복해 나갈 것"이라고 말했다.

2jung818@shinailbo.co.kr