삼성전자, 반도체시설에 14조 투자… 업계 최대
삼성전자, 반도체시설에 14조 투자… 업계 최대
  • 신민우 기자
  • 승인 2017.03.07 09:00
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전년보다 11% 이상 증가… SK하이닉스는 7조로 세계 4위
▲ 삼성전자 시안 반도체 신규라인에서 생산된 낸드플래시 제품. (사진=삼성전자 제공)

삼성전자가 올해 100억달러 이상을 반도체 시설에 투자할 것으로 보인다.

반도체 업계에서 가장 큰 규모다.

7일 시장조사기관 IC인사이츠에 따르면 삼성전자 반도체 부문의 올해 자본적 지출 전망치는 125억달러(14조5000억원)로 작년보다 11% 늘어날 것으로 예상된다.

작년에는 전년보다 13% 줄어든 113억달러를 투자했다.

지난 1월 삼성전자는 작년에 반도체에 13조2000억원의 시설투자비를 집행했으며 메모리와 시스템LSI의 비중은 약 8대2라고 밝힌 바 있다. 당시 올해 시설투자 규모는 확정하지 않았다며 발표하지 않았다.

SK하이닉스의 시설투자 규모는 세계 4위로 올해 60억달러(약 7조원)를 집행할 방침이다. 작년에는 전년보다 14% 줄어든 51억8800만달러(약 6조5000억원)를 기록했다.

작년에 삼성전자와 SK하이닉스가 시설투자를 줄였던 것은 D램 시장의 약세 때문이다. 그러나 작년 하반기부터 D램 시장이 성장세로 돌아섰고, 3D 낸드에 대한 투자가 늘면서 올해 전체적인 투자 규모가 늘어난 것으로 보인다.

삼성전자는 경기도 평택에 세계 최대 규모인 반도체단지를 짓고 있으며 올해 중반부터 V-낸드를 양산할 계획이다.

SK하이닉스는 올해 D램 투자는 줄이고 3D 낸드 생산량 확대를 위한 투자는 늘리기로 했다.

올해 시설투자 증가분은 경기도 이천 공장 M14의 클린룸 건설과 관련 인프라에 쓰인다.

[신아일보] 신민우 기자 ronofsmw@shinailbo.co.kr