비메모리 분야, 파운드리 사업 ‘7나노’ 공정 개발완료 신제품 공개
삼성전자가 최근 수요가 증가하고 있는 서버용에 초점을 맞춘 차세대 반도체 솔루션을 공개했다.
18일 삼성전자에 따르면 17일(현지시각) 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 가진 ‘삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018’에서 삼성전자 메모리사업부는 서버용 ‘256GB 3DS RDIMM’과 엔터프라이즈향 7.68TB 4비트 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술, 2세대 Z-SSD 등 차세대 신제품과 신기술을 소개했다.
우선 삼성전자는 2017년 업계 최초 2세대 10나노급(1y) D램 기술에 이어 256GB DIMM, LPDDR5, GDDR6 및 HBM2 등 차세대 프리미엄 라인업 양산 체제를 업계에서 유일하게 구축해 초격차를 벌려간다.
특히 이번에 공개된 256GB 3DS RDIMM은 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량 10나노급 16Gb DDR4 D램을 탑재해 기존 '128GB RDIMM' 대비 용량은 2배, 소비전력효율은 30% 개선했다.
삼성전자는 “EUV공정 기반 차세대 D램을 선행 개발해 초고속·초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대할 것”이라 밝혔다.
엔터프라이즈 스토리지향 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD는 지난 8월 업계 최초로 출시한 소비자향 4TB 4비트 PC SSD 모델에 이어 기업용 SSD시장까지 4비트 V낸드 제품 사업 범위를 확대한 제품이다.
삼성전자는 업계 최초 5세대 V낸드 개발에 이어 내년부터 6세대 V낸드 양산에 돌입해 초격차를 벌려간다는 계획이다. 또 이날 4배 용량으로 가격효율을 2배 높인 2세대 Z-SSD와 신뢰성과 성능을 향상시킨 4비트 서버 SSD 라인업도 공개했다.
반도체 부분 또 다른 수익사업으로 주력하고 있는 파운드리 사업은 EUV(Extreme Ultraviolet, 극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP, Low Power Plus) 개발 완료로 순항 중이다. 최근 10나노 이하로 접어들면서 광원으로 웨이퍼에 회로를 새기는 반도체 미세공정이 한계에 부딪혔다는 분석이 나오고 있다. 이를 기존 대비 1/14 수준의 광원인 EUV로 대체하면서 면적은 40%, 성능은 20%, 전력효율은 50% 향상 시킬 수 있게 됐다.
삼성전자 파운드리 전략마케팅팀 배영창 부사장은 "EUV 적용 공정을 상용화 해 반도체 제조 방식에 대한 근본적인 변화를 이끌었으며, 고객에 공정 수 감소 및 수율 향상, 제품 출시 기간 단축 등의 이점을 제공할 수 있게 되었다"며 "7LPP는 모바일과 HPC 뿐만 아니라 데이터센터, 전장, 5G, AI 등 폭넓은 응용처에도 최선의 선택이 될 것으로 생각된다"고 밝혔다.
[신아일보] 김성화 기자
