고덕산업단지에 들어서는 삼성전자 반도체 생산라인의 마무리 공사가 한창이다.
2015년 5월 첫 삽을 뜬 삼성반도체 공장은 이달 중순 현재 90% 이상 공정률을 보이고 있다.
이 공장이 가동되면 삼성전자는 '기흥-화성-평택'으로 이어지는 최첨단 '반도체 클러스터'를 구축, 세계적인 반도체 강자로서의 입지를 더욱 확고히 하게 된다.
삼성 관계자는 "1단계 공사가 상반기에 마무리되고, 정상가동에 들어간 후 반도체 시장 규모 등에 따라 나머지 부지에 대한 개발을 검토할 것으로 안다"며 "제품 생산에 지장이 없도록 최선을 다해 막바지 공사에 임하고 있다"고 밝혔다.
공장동에 설치된 생산라인은 정상가동에 앞서 시험운행에 들어갔으며 '3D V낸드(Vertical NAND)' 플래시 메모리를 본격 생산할 예정이다.
공사현장 북쪽 끝에 있는 3D V낸드 플래시 팹(fab·공장)은 가로 500ｍ·세로 200ｍ·높이 80ｍ 크기의 세계최대 규모로 천장 부분의 마무리 공사가 진행되고 있다.
이 공장에서 생산될 3D V낸드 플래시 메모리는 데이터 용량을 더 늘리기 위해 기존 2D 낸드플래시의 미세화 공정 기술 한계를 극복하기 위해 개발된 기술이다.
이 공장에서 생산될 3D V낸드 플래시 메모리는 데이터 용량을 더 늘리기 위해 기존 2D 낸드플래시의 미세화 공정 기술 한계를 극복하기 위해 개발된 기술이다.
최첨단 10나노급 공정이 도입되면서 이웃한 셀 간의 간격이 좁아져 발생하는 문제점을 극복하기 위해 기존 단층구조로 배열된 셀을 3차원 수직 구조로 적층하는 혁신적인 기술이 숨어있다.
기존 2D V낸드플래시에 비해 메모리의 속도와 수명 및 전력 효율성을 크게 개선한 것이다.
삼성은 2014년 수직 적층 구조를 유지하면서 각 셀에 저장 가능한 데이터 수를 늘리는 기술을 세계 최초로 도입했다.
이 기술은 디지털 카메라, 스마트폰, 휴대전화, USB 드라이브 등의 다양한 휴대용 기기와 SSD에 널리 사용되고 있다.
삼성은 이번 공사에 15조6000억원을 투자했다. 이는 단일 반도체 생산라인 투자로는 사상 최대 규모다.
평택시는 정상가동 시 연간 1000억원의 지방 세입 증가와 3만여명의 고용 효과를 기대하고 있다.
[신아일보] 신민우 기자 ronofsmw@shinailbo.co.kr
