5개월만에 용량 두 배…세계 첫 50나노 공정 적용
삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 업계 최대용량 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 29일 밝혔다.
지난해 9월 50나노 공정 2Gb DDR3 D램을 최초 개발한 데 이어, 5개월만에 용량을 두 배로 늘렸다.
삼성전자는 이로써 50나노 D램 제품군으로 DDR3 4Gb, 2Gb, 1Gb. 512Mb, DDR2 1Gb, 512Mb를 보유해 업계에서 가장 많은 제품군을 확보하게 됐다.
이 제품은 고용량이 필요한 서버와 워크스테이션 등의 모듈 개발에 적용될 전망이다.
삼성전자는 "최근 서버 시스템 당 메모리 탑재용량이 2년마다 약 2배씩 증가하는 추세를 보이고 있어, 고용량 메모리에 대한 수요도 증가할 것"이라고 기대했다.
아울러 이번에 개발된 4Gb DDR3는 1.35V에서 동작해, 기존 1.5V에서 동작하던 DDR3에 비해 추가로 전력 소비를 20% 이상 절감할 수 있다.
이에 따라 데이터 센터 등 많은 서버를 설치할 경우, 저전력 메모리를 탑재하면 단순히 전기사용량을 줄일뿐만 아니라, 열방출 장비나 전력 공급 설비의 설치·유지·보수 비용절감과 공간 절약 등 2차적인 경비 절감 효과도 볼 수 있게 된다.
삼성전자는 "향후에도 서버 시장에서 PC시장에 이르기까지 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 다양한 고객의 요구에 대응하고, 프리미엄 메모리 시장을 지속적으로 창출하며 고부가가치 D램 매출을 확대해 경쟁 우위를 유지해 나갈 계획"이라고 밝혔다.
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