SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품인 'HBM3E' 개발에 성공했다.

SK하이닉스는 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사에 샘플을 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다. 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어갈 예정이다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 HBM3E는 AI용 메모리의 필수 사양인 속도는 물론 발열 제어, 고객사용 편의성 등 모든 측면에서 세계 최고 수준을 충족시켰다"고 설명했다.

속도 측면에서 HBM3E는 초당 최대 1.15TB(테라바이트) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리 가능하다. HBM는 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. HBM3E는 하위 호환성(Backward compatibility)도 갖춰 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품을 적용할 수 있다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 "HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다"며 "앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 말했다.

[신아일보] 송의정 기자

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