SK하이닉스가 삼성전자와 마이크론에 이어 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 DDR4 D램 개발을 완료했다.
이정훈 SK하이닉스 D램개발사업 1z TF장은 21일 “연내에 3세대 10나노급 DDR4 D램 양산 준비를 마치고 내년부터 본격적으로 공급할 계획”이라며 이 같이 밝혔다.
SK하이닉스의 3세대 DDR4 D램 개발은 삼성전자와 마이크론에 이어 세 번째다. 앞서 삼성전자는 올해 3월 3세대 10나노급(1z) 8Gbit 제품의 개발완료 소식과 함께 연내 양산 계획을 발표했다. 또 마이크론은 지난 8월 10나노급(1z) 16Gbit 제품의 양산에 돌입한 것으로 알려졌다.
특징은 이전 세대 생산 공정에 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다는 점. 또 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.
이 제품은 DDR4 규격의 최고 데이터 전송 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.
아울러 이번 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량을 높여, 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐다. 또 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력을 갖췄다.
SK하이닉스는 3세대 10나노급 미세공정 기술을 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 확대 적용해나갈 계획이다.