삼성전자는 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램’을 개발했다고 21일 밝혔다.
삼성전자는 2세대 10나노급(1y) D램을 양산한지 16개월 만에 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 D램을 개발해 또 다시 역대 최고 미세 공정 한계를 극복했다고 강조했다.
삼성전자에 따르면 3세대 10나노급(1z) D램은 초고가의 극자외선(EUV) 장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율도 개선됐다.
삼성전자는 3세대 10나노급(1z) D램 기반 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 정보통신기술(IT) 고객사의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다고 설명했다.
삼성전자는 2019년 하반기에 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급하는 등 최첨단 공정 기반 프리미엄 메모리 기술 리더십을 더욱 강화해 나갈 계획이다.
삼성전자는 글로벌 주요 고객사들과 차세대 시스템 개발단계부터 적극 협력해 글로벌 시장을 차세대 라인업으로 빠르게 전환시켜 나갈 예정이다.
이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 적기에 출시하게 됐다”며 “앞으로 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 글로벌 고객의 차세대 시스템 적기 출시와 프리미엄 메모리 시장의 빠른 성장세 실현에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.
한편 삼성전자는 현재 글로벌 IT 고객사의 공급 요구 수준에 맞춰 평택 최신 D램 라인에서 주력 제품의 생산 비중을 지속 확대하고 있다.
특히 2020년 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영한 안정적 양산 체제를 평택에 구축함으로써 초격차 사업 경쟁력을 강화한다는 방침이다.
