SK하이닉스가 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit(기가비트) DDR4 D램 개발로 시장 수요 대응에 나선다.
12일 SK하이닉스에 따르면 이번에 개발한 2세대 제품은 1세대(1x) 대비 생산성은 20% 향, 전력 소비는 15% 이상 감축해 업계 최고 수준 전력 효율을 갖췄다.
데이터 전송 속도 또한 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적인 구현이 가능하다. SK하이닉스는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’ 설계 기술을 적용했다. 기존 Clock 신호를 2등분 하던 것을 4등분 해 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 마치 고속도로 톨게이트 요금 정산소를 늘려 차량 통행을 원활히 하는 것과 같다.
또 SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 도입했다. 이는 D램 셀에 저장돼있는 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 ‘센스 앰프’의 성능을 강화하는 기술이다.
D램은 공정이 미세화될수록 트랜지스터 크기가 줄어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 트랜지스터 구조 개선으로 오류 발생 가능성을 낮췄다. 또 데이터 증폭·전달 기능을 하는 회로에 전력 소모가 낮은 내부 전원을 추가해 동작에 필요한 만큼 전력을 공급해 불필요한 전력 사용을 방지했다.
SK하이닉스는 PC와 서버 시장을 시작으로 모바일을 비롯한 다양한 응용처에 걸쳐 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다
김석 DRAM마케팅담당 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응 할 것”이라고 밝혔다.
