전세계 반도체 업계 시설투자액이 100조원 규모로 전망되는 가운데 특히 삼성전자가 중국 등의 후발업체 등을 견제하며 사상 최대 규모의 투자를 진행할 것으로 보인다.
17일 글로벌 시장조사업체 IC인사이츠에 따르면 올해 글로벌 반도체 업체들의 시설투자 규모가 총 908억달러(약 100조원)로 추정됐다. 이는 당초 전망치인 723억달러 대비 25.6% 늘어난 수치다.
특히 삼성전자는 작년 113억달러 투자에 이어 올해 260억달러를 추가로 투자하며 전체 투자액의 20% 이상을 기록할 것으로 예상된다.
빌 맥클린 IC인사이츠 대표는 "지난 37년간 반도체시장에서 이 같은 공격적인 설비투자는 본 적이 없다"면서 "역사상 초유의 일"이라고 말했다.
삼성전자의 올해 반도체 시설투자는 3D 낸드플래시 부문이 전체의 절반 이상인 140억달러, D램은 70억달러, 파운드리 부문은 50억달러로 추정된다.
IC인사이츠는 장기적으로 삼성전자의 대규모 설비투자가 업계에 부정적인 영향을 끼칠 것으로 예상했다. 특히 SK하이닉스와 마이크론, 도시바, 인텔 등이 3D 낸드 플래시 시장 설비투자 경쟁에 진입하며 과잉설비에 대해 우려했다.
다만 메모리 업계 입지 강화를 꾀하는 중국 업체들을 견제하며 현재 삼성전자와 SK하이닉스 등이 주도하는 시장구도를 유지할 수 있을 전망했다.
IC인사이츠는 "중국의 신생업체들이 기존 메모리업체들과 조인트벤처 등의 방식으로 획기적인 시도를 하지 않는 한, 당장 글로벌 리더업체와 경쟁하기는 어려워 보인다"고 예측했다.
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